据了解，这种闪存芯片所用的34纳米工艺是由英特尔、美光以及IM Flash Technologies公司联合开发的。34纳米32Gb闪存芯片将可以在300mm的晶圆体上进行制造，每一块300mm的晶圆体可以切割出大约1.6TB的NAND闪存芯片。另外，这种新型芯片业是目前业界唯一适用于标准48-pin薄小型集成电路封装（thin small-outline package，TSOP）的32Gb芯片，它的面积是172mm2，比拇指甲的面积还要小，并且成本很低，可以用于高密度的固态硬盘中。

英特尔和美光都表示，34纳米32Gb芯片是专为固态硬盘设计的，它可以降低固态硬盘的制造成本，同时又能把固态硬盘的容量提高2倍。如果使用这种芯片，1.8英寸固态硬盘的容量就可以超越256GB。此外，英特尔和美光还计划推出也采用34纳米工艺的低密度多层或单层闪存芯片。