东芝出击43纳米 主动控制NAND闪存成本

日前有业内消息透露，东芝正计划于2009年第一季度将旗下的NAND闪存产品全线提升至43纳米制造工艺，目前的56纳米制造工艺将被逐步淘汰。此举有望降低东芝NAND闪存产品的生产成本，从而令其产品更具市场竞争力。

如果东芝此次大规模提升制造工艺得以成功的话，东芝在闪存制造领域的制造工艺上将一举获得领先地位，从而获得闪存业内最低的生产成本，并且可以进一步扩大领先其他厂商的距离。

虽然东芝提升制造工艺可以降低闪存产品成本，但是考虑到目前NAND闪存价格的持续低迷，其实成本的降低未必一定能令东芝获得大量利润，只不过成本的降低毕竟是件好事。即便成本降低后东芝闪存产品还是不能大赚特赚，但是此举对减少公司亏损可能性或者降低亏损数额还是大有裨益的。